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BSZ086P03NS3 G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.6 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.9V @ 105µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4785pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSZ086P03NS3 G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.6 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.9V @ 105µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4785pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：Digi-Reel®

BSZ086P03NS3 G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.6 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.9V @ 105µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4785pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：帶卷 (TR)

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FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
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